Gallium Arsenide의 굴절률

Gallium arsenide (GaAs) is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III/V semiconductor, and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells, and optical windows.

전형적인 GaAs 샘플의 굴절률과 흡수율은 632.8 nm 기준 3.857 과 0.198 입니다. 아래는 굴절률, 흡수율의 파일 입니다. 만일 파일을 다운로드 할 수 없다면, 귀하는 자사의 "요청" 을 클릭하여 파일을 요청 하실 수 있습니다.

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굴절률 참고 - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)

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Wikipedia: Gallium arsenide
Handbook of optical constants of solids By Edward D. Palik: Gallium arsenide

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