엘립소메트리와 분광반사율 기술의 비교
엘립소메타 기술과 분광 반사율 기술은 반사된 빛을 측정하고 반도체, 금속 박막(Thin Film)의 두께와 굴절률을 측정 합니다. 엘립소메타와 분광반사율은 큰 차이점이 있습니다. 엘립소메타 기술은 낮은 각도로 박막에서 반사된 빛의 양을 측정하고 분광반사율은 수직으로 반사된 빛의 양을 측정합니다.
분광 반사율 가이드 요청빛이 반사된 각도에 의해 기술의 난이도와 가격 그리고 기능이 정해집니다. 엘립소메타 기술은 기울어진 각도에서 빛의 양을 측정합니다. 이 기술은 반사된 빛의 극성과 강렬함도 함께 측정하기 때문에 더 확실하고 정확하게 두께를 측정할 수 있습니다. 하지만 엘립소메타 기술로 빛의 극성까지 함께 측정하려면 고가의 이동성 광학 구성부품이 필요합니다.
분광반사율기술은 빛을 직각으로 반사시켜 측정하므로서 빛의 극성은 측정하지 않습니다. 이로 인하여 분광반사율 기술을 사용한 제품은 엘립소메타 기술에 비교했을때 이동성 구성부품도 없고 더 간단하고 저렴합니다. 더불어 분광반사율 기술에는 투과율 분석기능도 쉽게 적용할 수 있습니다.
아래의 표를 참조 하시면 엘립소메타 기술은 보통 10nm보다 더 얇은 박막에 선호되는 기술 인 반면 분광반사율 기술은 10µm 보다 두꺼운 박막에 선호 됩니다. 두 기술이 사용되는10nm와10µm 사이에는 많은 응용분야가 있습니다. 이러한 경우의 측정은 분광반사율 기술이 신속하고, 간결하며, 저렴한 단가 때문에 종종 선택되어 집니다.
| 분광 반사율 | 엡립소메트리 | |
|---|---|---|
| 두께 측정 범위: | 1nm - 1mm (비-금속들) 0.5nm - 50nm (금속들)* |
0.1nm - 0.01mm (비-금속들) 0.1nm - 50nm (금속들) |
| 굴절률 측정에 요구되는 두께: | >20nm (비금속) 5nm - 50nm (금속들) |
>5nm (비금속) >0.5nm (금속) |
| 측정 속도: | 위치당 ~0.1 - 5 초 | 위치 당 ~1 - 300 초 |
| 특별 교육: | 아니요 | 대부분 응용분야에 필요함 |
| 이동 파트: | 아니요 | 움직이는 정확한 옵틱 |
| 기본 시스템 단가: | ~$13K | ~$40K |
