Gallium Nitride의 굴절률
Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure.
전형적인 GaN 샘플의 굴절률과 흡수율은 632.8 nm 기준 2.380 과 0.000 입니다. 아래는 굴절률, 흡수율의 파일 입니다. 만일 파일을 다운로드 할 수 없다면, 귀하는 자사의 "요청" 을 클릭하여 파일을 요청 하실 수 있습니다.
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파장 (nm)
굴절률 참고 - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183
Wikipedia: Gallium nitride
Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: numerical data and graphical
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