Gallium Phosphide의 굴절률

Gallium phosphide (GaP), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.26 eV. The polycrystalline material has the appearance of pale orange pieces.

전형적인 GaP 샘플의 굴절률과 흡수율은 632.8 nm 기준 3.314 과 0.000 입니다. 아래는 굴절률, 흡수율의 파일 입니다. 만일 파일을 다운로드 할 수 없다면, 귀하는 자사의 "요청" 을 클릭하여 파일을 요청 하실 수 있습니다.

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굴절률 참고 - Sopra Material Database

Wikipedia: Gallium phosphide
Sopra Material Database
D. E. Aspnes and A. A. Studna (1983) Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eVdoi: 10.1103/PhysRevB.27.985

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