Silicon의 굴절률

Silicon is the second-most common element on Earth. It forms the basis of nearly all non-optical semiconductor devices. Optically, silicon is most interesting as a detector or reflector, where its refractive index and extinction coefficient are of primary importance.

The refractive indices tabulated below apply whether the 111 or 100 crystal plane is exposed to the sample surface. Dopant levels also have a very small effect on the index of refraction in the wavelength ranges considered here (200 to 2500nm). Silicon forms a nearly-ideal surface layer of SiO2 when exposed to oxidizing environments. The "native" oxide layer that forms in typical ambients must often be taken into account when measuring the thickness or refractive index of very thin films on silicon.

전형적인 Si 샘플의 굴절률과 흡수율은 632.8 nm 기준 3.882 과 0.019 입니다. 아래는 굴절률, 흡수율의 파일 입니다. 만일 파일을 다운로드 할 수 없다면, 귀하는 자사의 "요청" 을 클릭하여 파일을 요청 하실 수 있습니다.

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굴절률 참고 - Handbook of Optical Constants of Solids, Edward D. Palik. Academic Press, Boston, 1985

D. E. Aspnes and J. B. Theeten (1980) "Spectroscopic Analysis of the Interface Between Si and Its Thermally Grown Oxide" J. Electrochem. Soc., Volume 127, Issue 6, pp. 1359-1365 doi :10.1149/1.2129899
Wikipedia: Silicon

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